Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Юник, А.Д. | - |
| dc.contributor.author | Соловьёв, Я.А. | - |
| dc.date.accessioned | 2023-01-19T12:37:20Z | - |
| dc.date.available | 2023-01-19T12:37:20Z | - |
| dc.date.issued | 2020 | - |
| dc.identifier.citation | Юник, А.Д. Способы формирования нормально-закрытых GaN/AlGaN транзисторов с высокой подвижностью электронов / А.Д. Юник ; науч. рук. Я.А. Соловьёв // Актуальные вопросы физики и техники [Электронный ресурс] : IX Республиканская научная конференция студентов, магистрантов и аспирантов (Гомель, 23 апреля 2020 г.) : материалы : в 2 ч. / М-во образования Республики Беларусь, Гомельский гос. ун-т им. Ф. Скорины ; редкол. : Д. Л. Коваленко (гл. ред.) [ и др.]. – Гомель : ГГУ им. Ф. Скорины, 2020. – Ч. 1. – С. 156-159. | ru |
| dc.identifier.uri | http://elib.gsu.by/jspui/handle/123456789/52008 | - |
| dc.language.iso | Русский | ru |
| dc.publisher | Гомельский государственный университет имени Ф. Скорины | ru |
| dc.title | Способы формирования нормально-закрытых GaN/AlGaN транзисторов с высокой подвижностью электронов | ru |
| dc.type | Article | ru |
| dc.root | Актуальные вопросы физики и техники [Электронный ресурс] : IX Республиканская научная конференция студентов, магистрантов и аспирантов | ru |
| dc.placeOfPublication | Гомель | ru |
| Appears in Collections: | Статьи | |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Юник_Способы.pdf | 197.2 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.