Название: Способы формирования нормально-закрытых GaN/AlGaN транзисторов с высокой подвижностью электронов
Авторы: Юник, А.Д.
Соловьёв, Я.А.
Дата публикации: 2020
Издательство: Гомельский государственный университет имени Ф. Скорины
Библиографическое описание: Юник, А.Д. Способы формирования нормально-закрытых GaN/AlGaN транзисторов с высокой подвижностью электронов / А.Д. Юник ; науч. рук. Я.А. Соловьёв // Актуальные вопросы физики и техники [Электронный ресурс] : IX Республиканская научная конференция студентов, магистрантов и аспирантов (Гомель, 23 апреля 2020 г.) : материалы : в 2 ч. / М-во образования Республики Беларусь, Гомельский гос. ун-т им. Ф. Скорины ; редкол. : Д. Л. Коваленко (гл. ред.) [ и др.]. – Гомель : ГГУ им. Ф. Скорины, 2020. – Ч. 1. – С. 156-159.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://elib.gsu.by/jspui/handle/123456789/52008
Располагается в коллекциях:Статьи

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Юник_Способы.pdf197.2 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.