| Название: | Способы формирования нормально-закрытых GaN/AlGaN транзисторов с высокой подвижностью электронов |
| Авторы: | Юник, А.Д. Соловьёв, Я.А. |
| Дата публикации: | 2020 |
| Издательство: | Гомельский государственный университет имени Ф. Скорины |
| Библиографическое описание: | Юник, А.Д. Способы формирования нормально-закрытых GaN/AlGaN транзисторов с высокой подвижностью электронов / А.Д. Юник ; науч. рук. Я.А. Соловьёв // Актуальные вопросы физики и техники [Электронный ресурс] : IX Республиканская научная конференция студентов, магистрантов и аспирантов (Гомель, 23 апреля 2020 г.) : материалы : в 2 ч. / М-во образования Республики Беларусь, Гомельский гос. ун-т им. Ф. Скорины ; редкол. : Д. Л. Коваленко (гл. ред.) [ и др.]. – Гомель : ГГУ им. Ф. Скорины, 2020. – Ч. 1. – С. 156-159. |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://elib.gsu.by/jspui/handle/123456789/52008 |
| Располагается в коллекциях: | Статьи |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Юник_Способы.pdf | 197.2 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.