Дифракция света на объемных фазовых голограммах в Bi₁₂SiO₂₀

Abstract

В работе кратко изложены результаты теоретического рассмотрения дифракции света на фазовых решетках в кубических оптически активных фоторефрактивных кристаллах во внешнем электрическом поле E₀. Хорошее совпадение ориентационных зависимостей амплитуды и поляризации продифрагировавшего света с результатами анализа, наблюдаемое в кристаллах Bi₁₂SiO₂₀, служит надежным подтверждением электрооптической природы записываемых фазовых голограмм. Процесс роста дифракционной эффективности на начальном участке записи голограммы с достаточно малым шагом (2π/К=∆≤10 мкм) количественно описывается моделью больших длин переноса L фотоиндуцированных носителей тока (KL ≥ 1). Также показано, что в стационарном режиме записи амплитуда решетки электрического поля σE голограммы может достигать величины внешнего электрического поля E₀ вплоть до сравнительно высоких пространственных частот (KL ≥ 1).