Моделирование плазмохимического травления функционального слоя нитрида кремния на подслое диоксида кремния в технологиях микроэлектроники

Abstract

Проведено математическое моделирование плазмохимического травления (ПХТ) пленки нитрида кремния в плазме газовой смеси, содержащей в качестве фторсодержащего газа гексафторид серы в количестве 70–91 об. % и кислород в количестве 30–9 об. %, при плотности мощности плазмы I = 0,2–0,4 Вт/см² и рабочем давлении P = 4–8 Па. = Mathematical modeling of plasma-chemical etching of a silicon nitride film in the plasma of a gas mixture containing sulfur hexafluoride as a fluorine-containing gas in an amount of 70–91 vol. % and oxygen in the amount of 30–9 vol. %, at plasma power density I = 0,2–0,4 W/cm² and operating pressure P = 4–8 Pa.