Моделирование влияния инфракрасного излучения на фазовый состав покрытий диоксида кремния

Abstract

Проведено математическое моделирование взаимодействия излучения ближнего инфракрасного (ИК) диапазона с покрытием диоксида кремния при длительности импульса τ = 0,05–0,5 секунды и экспозиции E = 0,1–1,0 Дж/см². Дана оценка снижения скорости плазмохимического травления (ПХТ) SiO₂ покрытия за счёт повышения средней энергии связи в кристаллической решётке вследствие термической модификации фазового состава указанного покрытия. = Mathematical modeling of the interaction of radiation in the near infrared range with a coating of silicon dioxide was carried out at a pulse duration τ = 0,05–0,5 seconds and exposure E = 0,1 to 1,0 J/cm². An estimate is made of the decrease in the rate of plasma-chemical etching of a SiO₂ coating due to an increase in the average binding energy in the crystal lattice due to thermal modification of the phase composition of the specified coating.