Название: Низкотемпературные процессы формирования нанокомпозитных пленок для оптоэлектроники
Другие названия: Low temperature forming processes of nanocomposite films for optoelectronics
Авторы: Хахомов, С.А.
Семченко, А.В.
Гайшун, В.Е.
Коваленко, Д.Л.
Васькевич, В.В.
Данильченко, К.Д.
Маевский, А.А.
Малютина-Бронская, В.В.
Юлдашев, Ш.У.
Верлан, В.
Khakhomov, S.A.
Semchenko, A.V.
Gaishun, V.E.
Kovalenko, D.L.
Vaskevich, V.V.
Danilchenko, K.D.
Maevsky, A.A.
Malyutina-Bronskayа, V.V.
Yuldashev, S.U.
Verlan, V.
Ключевые слова: синтез пленок
золь-гель метод
тонкие пленки
солнечные элементы
функциональные структуры
film synthesis
sol-gel method
thin films
solar cells
functional structures
Дата публикации: 2023
Издательство: Гомельский государственный университет имени Ф.Скорины
Библиографическое описание: Низкотемпературные процессы формирования нанокомпозитных пленок для оптоэлектроники / С.А. Хахомов [и др.] // Проблемы физики, математики и техники. Сер.: Физика. - 2023. - № 4 (57). - С. 48-52.
Краткий осмотр (реферат): Разработана методика синтеза золь-гель пленок ITO с внедренными нанокристаллами ZnGa₂O₄:Cr³⁺, Yb³⁺ (YAGG:Cr³⁺, Yb³⁺), проявляющими длительное послесвечение на поверхности фотоэлектрического солнечного элемента. Интенсивность люминесценции для золь-гель пленки с нанокристаллами ZnGa₂O₄:Cr³⁺, Yb³⁺ имеет интенсивность на порядок ниже, чем для пленок ITO с нанокристаллами YAGG:Cr³⁺, Yb³⁺. Применение метода Печини обеспечивает интенсивность люминесценции пленок ITO с нанокристаллами YAGG:Cr³⁺, Yb³⁺ в 4 раза выше, чем метод химического осаждения. Нанокристаллы вводились в матрицу на основе ITO. In₂O₃:SnO₂ (ITO) – полупроводник с шириной запрещенной зоны 3,0–4,3 эВ, обеспечивающий высокое пропускание в видимой области света. Тонкие пленки ITO используются в оптоэлектронике и микроэлектронике в качестве прозрачного проводящего контакта для ряда оптоэлектронных продуктов, включая солнечные элементы, светодиоды, лазерные диоды и плоские дисплеи. = The technique for the synthesis of sol-gel ITO films with embedded ZnGa₂O₄:Cr³⁺, Yb³⁺ (YAGG:Cr³⁺, Yb³⁺) nanocrystals exhibiting long-lasting afterglow on the surface of a photovoltaic solar cell has been developed. The luminescence intensity for a sol-gel film with ZnGa₂O₄:Cr³⁺, Yb³⁺ nanocrystals is an order of magnitude lower than for ITO films with YAGG:Cr³⁺, Yb³⁺ nanocrystals. The use of the Pechini method ensures the luminescence intensity of ITO films with YAGG:Cr³⁺, Yb³⁺ nanocrystals is 4 times higher than the chemical deposition method. Nanocrystals were introduced into an ITO-based matrix. In₂O₃:SnO₂ (ITO) is a semiconductor with a band gap of 3.7–4.3 eV, providing high transmittance in the visible light region. ITO thin films are used in optoelectronics and microelectronics as a transparent conductive contact for a range of optoelectronic products, including solar cells, LEDs, laser diodes and flat panel displays.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): https://elib.gsu.by/handle123456789/64511
Располагается в коллекциях:Проблемы физики, математики, техники. Физика

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Хахомов_Низкотемпературные.pdf916.85 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.