| Title: | О влиянии отклонений от стехиометрии на свойства полупроводника ZnSiAs₂ |
| Authors: | Аверкиева, Г.К. Прочухан, В.Д. Таштанова, М. |
| Issue Date: | 1972 |
| Publisher: | Наука |
| Citation: | Аверкиева, Г.К.О влиянии отклонений от стехиометрии на свойства полупроводника ZnSiAs₂ / Г.К. Аверкиева, В.Д. Прочухан, М. Таштанова // Доклады Академии наук СССР.- Москва : Наука, 1972. - Т. 206, № 3.- С. 638-640. |
| URI: | https://elib.gsu.by/handle123456789/78596 |
| Appears in Collections: | Оцифрованный фонд |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Аверкиева_О_влиянии.pdf | 182.81 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.