Название: Applying multi-objective genetic algorithm (MOGA) to optimize synthesis parameters of dielectric Sol-Gel coatings for microelectronics
Авторы: Vaskievich, V.V.
Kovalenko, D.L.
Nikityuk, Y.V.
Gaishun, V.E.
Danilchenko, K.D.
Aushev, I.Yu.
Васькевич, В.В.
Коваленко, Д.Л.
Никитюк, Ю.В.
Гайшун, В.Е.
Данильченко, К.Д.
Аушев, И.Ю.
Дата публикации: 2025
Издательство: Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН
Библиографическое описание: Applying multi-objective genetic algorithm (MOGA) to optimize synthesis parameters of dielectric Sol-Gel coatings for microelectronics / V.V. Vaskievich, D.L. Kovalenko, Yu. V. Nikityuk [et al.] // Информационные технологии и технические средства управления (ICCT-2025) : материалы IX Междунар. научн. конфер., 7–11 октября 2025 г., Гомель / под общ. ред. Е.А. Барабановой, К.А. Вытовтова ; Ин-т проблем упр. им. В.А. Трапезникова Рос. акад. наук Минобрнауки РФ. - М.: ИПУ РАН, 2025. - С. 310-312/
Краткий осмотр (реферат): This study optimized the parameters of silicon dioxide coating formation using a genetic algorithm. The coatings were prepared via the sol-gel method. Experiments were conducted using a facecentered central composite design, with the following input parameters: the ratio of silicon organic compounds in the initial sol, spin-coating rotation speed, and annealing temperature. The output characteristics included coating thickness, refractive index, and leakage currents of the sol-gel coatings. The influence of coating formation parameters on these characteristics was evaluated. The coating process optimization was performed using a genetic algorithm with the objective of minimizing leakage currents for sol-gel coatings of specified thickness.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): https://elib.gsu.by/handle123456789/84825
Располагается в коллекциях:Статьи

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Vaskievich_Applying.pdf441.21 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.