Феноменологическое моделирование и экспериментальная оценка скорости плазменного травления кремния в комбинированном разряде

Abstract

Представлена феноменологическая модель плазменного травления монокристаллического кремния в плазме CF4 при остаточном давлении p = 20–100 Па с применением комбинированного разряда при частотах: НЧ-генератора – 33 ± 1 кГц и СВЧ-генератора – 2,45 ± 0,01 ГГц. Проведена аппроксимация экспериментальных данных с использованием метода наименьших квадратов, в результате которой получены теоретические зависимости скорости травления от давления в рабочей камере и мощностей СВЧ и НЧ генераторов. = The paper presents a phenomenological model of plasma etching of monocrystalline silicon in CF4 plasma at residual pressure of p = 20–70 Pa using a combined discharge at frequencies of 33 ± 1 kHz for LF generator and 2,45 ± 0,01 GHz for microwave generator. The approximation of experimental data using the least squares method was carried out, resulting in theoretical dependencies of the etching rate on pressure in the working chamber and the power of the microwave and low-frequency generators.