Формирование трёхмерных токопроводящих микроструктур на поверхности кремния

Abstract

Предложен метод формирования межслойных медных соединений на поверхности кремния в слое фоторезиста, комбинирующий резистивное напыление в вакууме, с последующим электрохимическим осаждением при облучении ультрафиолетовым излучением. Проведены исследования полученных структур методами атомно-силовой микроскопии и электронно-растровой микроскопии. Показано, что полученные межсоединения обладают плотноупакованной структурой и химически однородны, что обуславливает высокие эксплуатационные характеристики. The article studies the method of forming copper wiring on the surface of silicon in the photoresist layer, combining the resistive coating in a vacuum, followed by electrochemical deposition under ultraviolet light. The article studies the obtained structures with the help of atomic force microscopy and scanning electron microscopy. It shows that the wiring has packed structure and chemical homogeneity, which leads to high operational features.