| Название: | Поглощение света в собственных полупроводниках в присутствии мощного лазерного излучения |
| Авторы: | Синявский, Э.П. |
| Дата публикации: | 1974 |
| Издательство: | Наука |
| Библиографическое описание: | Синявский , Э.П. Поглощение света в собственных полупроводниках в присутствии мощного лазерного излучения / Э.П. Синявский // Оптика и спектроскопия / АН СССР. - Ленинград : Наука, 1974. - Т. XXXVII, вып. 3. - С. 495-503. |
| Краткий осмотр (реферат): | Проведен расчет коэффициента поглощения света Ǩ(Ω₀) в собственных полупроводниках с учетом колебаний кристаллической решетки в присутствии мощной электромагнитной волны. Полученное выражение для Ǩ(Ω₀) учитывает влияние лазерной подсветки на процессы рассеяния носителей в зоне на фононах, что приводит к зависимости эффективной массы носителей от интенсивности лазерного излучения. |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://elib.gsu.by/jspui/handle/123456789/32771 |
| Располагается в коллекциях: | Оцифрованный фонд |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Синявский_Поглощение.pdf | 11.91 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.