| Title: | Двухэкситонная излучательная рекомбинация в полупроводниках при больших уровнях возбуждения |
| Authors: | Хаджи, П.И. Москаленко, С.А. |
| Issue Date: | 1974 |
| Publisher: | Наука |
| Citation: | Хаджи, П.И. Двухэкситонная излучательная рекомбинация в полупроводниках при больших уровнях возбуждения / П.И. Хаджи, С.А. Москаленко // Оптика и спектроскопия / АН СССР. - Ленинград : Наука, 1974. - Т. XXXVII, вып. 5. - С. 954-958. |
| Abstract: | Изучен новый механизм излучательной рекомбинации в полупроводниках при больших уровнях возбуждения, в результате которого два прямых экситона аннигилируют и образуется полоса излучения при энергии фотона, равной удвоенной энергии образования экситона. |
| URI: | http://elib.gsu.by/jspui/handle/123456789/32772 |
| Appears in Collections: | Оцифрованный фонд |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Хаджи_Двухэкситонная.pdf | 7.12 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.