Исследование процесса лазерного раскалывания кремниевых пластин, вырезанных в плоскости (110)

Abstract

Представлены результаты моделирования процесса лазерного термораскалывания монокристаллического кремния. Расчет термоупругих полей, формируемых в кремниевой пластине в результате последовательного лазерного нагрева и воздействия хладагента, осуществлялся для среза (110) в трех различных вариантах перемещений лазерного пучка, а именно в направлениях [1–10], [001], [1–11]. Results of laser thermosplitting process modelling of single-crystalline silicon are presented. Calculation of the thermoelastic fields formed in a silicon plate as a result of consecutive laser heating and coolant influence was carried out for a section (110) in three different variants of laser beam movement, namely in directions [1–10], [001], [1–11].