Фазовый состав и микроструктура тонких пленок Cu₂ZnSn(S,Se)₄

Abstract

Тонкие пленки Cu₂ZnSn(SxSe₁₋ᵪ)₄ (CZTSSe) получены путем селенизации послойно нанесенных прекурсоров Cu/Sn/ZnS магнетронным напылением на подложки Мо/стекло и из чистого стекла. С помощью рентгеноспектрального микроанализа, рентгенофазового анализа, сканирующей электронной и атомно-силовой микроскопии установлено влияние элементного состава прекурсоров и типа подложек на формирование пленок CZTSSe. Cu₂ZnSn(SxSe₁₋ᵪ)₄ (CZTSSe) thin films were obtained by selenization of layer-by-layer Cu/Sn/ZnS precursors by magnetron sputtering on Mo/glass and glass substrates. The influence of the elemental composition of precursors and the type of substrates on the formation of CZTSSe films was established using Xray spectral microanalysis, X-ray phase analysis, scanning electron and atomic force microscopy.