Получение плёнок ZnO: В с различным оптическим рассеянием и их влияние на формирование а-Si: H/mc-Si: H слоёв и собирание света в тонкопленочных кремниевых солнечных элементах

Abstract

Гидрогенизированные слои микроморфного кремния (a-Si:H/µc-Si:H) были получены на плёнках ZnO:B прозрачного проводящего оксида (ППО) с различной морфологией поверхности (различная шероховатость и оптическое рассеяние). Необходимая структура плёнок оксида цинка былa достигнута вариацией их толщины. Данная работа изучает зависимость структурных и оптических свойств слоёв Si от топографии ZnO. Наблюдается незначительное влияние морфологии поверхности подложек на рамановский фактор кристалличности. Он уменьшается примерно на 5% при увеличении оптического рассеяния на ППО от 2 до >40%, при этом значительно увеличивается общее собирание света в ZnO:B/a-Si:H/<µc-Si:H структурах (их коэффициент по-глощения возрастает с 50 до 70%). Оптимальная комбинация структурных и оптических свойств обнаружена при >20% уровне рассеяния света на ППО.