| Title: | Получение гетероструктур SIO2/ZnO/Si золь-гель методом |
| Other Titles: | Synthesis of heterostructures SIO2/ZnO/Si by sol-gel method |
| Authors: | Малютина-Бронская, В.В. Поликанин, А.М. Залесский, В.Б. Семченко, А.В. Гайшун, В.Е. |
| Keywords: | золь-гель ZnO вольт-фарадные характеристики вольт-амперные характеристики |
| Issue Date: | 2011 |
| Citation: | Получение гетероструктур SIO2/ZnO/Si золь-гель методом / В.В. Малютина-Бронская [и др.] // Проблемы физики, математики и техники. Сер.: Физика. - 2011. - № 3(8). - С. 24-27. |
| Abstract: | В работе рассматривается анализ вольт-амперных, вольт-фарадных характеристик структур SiO2/ZnO/Si, полученных золь-гель методом с использованием различных исходных веществ, таких как нитрат цинка, хлорид цинка и ацетат цинка. Рассчитана плотность дефектов на границе раздела ZnO/Si с использованием Мотт–Шоттки зависимостей С2(U). Определен основной механизм проводимости – токи, ограниченные пространственным зарядом. Показано, что пленки, полученные с использованием ацетата цинка, обладают фоточувствительностью. |
| URI: | http://hdl.handle.net/123456789/3229 |
| ISSN: | 2077-8708 |
| Appears in Collections: | Проблемы физики, математики, техники. Физика |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Малютина-Бронская ВВ Поликанин АМ Залесский ВБ Семченко АВ Сидский ВВ Гайшун ВЕ 2011-3.pdf | 906.51 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.