| Title: | Форма электронных полос в глубине основного поглощения InSe и GaSe |
| Authors: | Гавалешко, Н.П. Делевский, Г.Б. Ковалюк, З.Д. Курик, М.В. Савчук, А.И. |
| Issue Date: | 1975 |
| Publisher: | Наука |
| Citation: | Форма электронных полос в глубине основного поглощения InSe и GaSe / Н.П. Гавалешко [и др.] // Оптика и спектроскопия / АН СССР. – Ленинград : Наука, 1975. – Т. 38, вып. 4. – С. 722-726. |
| Abstract: | Проведены измерения формы полосы, ее полуширины и положения как функции температуры в глубине основного поглощения для соединений InSe и GaSe. Полученные зависимости сравниваются с аналогичными данными для экситонов на краю поглощения. На основе сравнения сделан вывод, что наблюдаемая структура спектра связана с возбуждением экситонов в этой области спектра. |
| URI: | http://elib.gsu.by/jspui/handle/123456789/32560 |
| Appears in Collections: | Оцифрованный фонд |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Гавалешко_Форма.pdf | 6.73 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.