| Title: | Повышение селективности травления нитрида кремния к диоксиду кремния субмикронных интегральных схем |
| Authors: | Емельянов, В.В. |
| Keywords: | реактивно-ионное травление нитрид кремния диоксид кремния микроэлектроника reactive ion etching silicon nitride silicon dioxide microelectronics |
| Issue Date: | 2022 |
| Publisher: | Гомельский государственный университет имени Ф.Скорины |
| Citation: | Емельянов, В.В. Повышение селективности травления нитрида кремния к диоксиду кремния субмикронных интегральных схем / В.В. Емельянов // Известия Гомельского государственного университета имени Ф. Скорины. Сер.: Естественные науки. - 2022. - № 6 (135). - С. 114-117. |
| Abstract: | В работе представлены решение для повышения селективности травления нитрида кремния, полученного химическим осаждением из парогазовой фазы, по отношению к термическому диоксиду кремния. = The paper presents a solution for increasing the selectivity of etching of silicon nitride obtained by chemical vapor deposition with respect to thermal silicon dioxide. |
| URI: | http://elib.gsu.by/jspui/handle/123456789/50654 |
| Appears in Collections: | Известия ГГУ им. Франциска Скорины. Естественные науки |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Емельянов_Повышение.pdf | 362.21 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.