| Название: | Повышение селективности травления нитрида кремния к диоксиду кремния субмикронных интегральных схем |
| Авторы: | Емельянов, В.В. |
| Ключевые слова: | реактивно-ионное травление нитрид кремния диоксид кремния микроэлектроника reactive ion etching silicon nitride silicon dioxide microelectronics |
| Дата публикации: | 2022 |
| Издательство: | Гомельский государственный университет имени Ф.Скорины |
| Библиографическое описание: | Емельянов, В.В. Повышение селективности травления нитрида кремния к диоксиду кремния субмикронных интегральных схем / В.В. Емельянов // Известия Гомельского государственного университета имени Ф. Скорины. Сер.: Естественные науки. - 2022. - № 6 (135). - С. 114-117. |
| Краткий осмотр (реферат): | В работе представлены решение для повышения селективности травления нитрида кремния, полученного химическим осаждением из парогазовой фазы, по отношению к термическому диоксиду кремния. = The paper presents a solution for increasing the selectivity of etching of silicon nitride obtained by chemical vapor deposition with respect to thermal silicon dioxide. |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://elib.gsu.by/jspui/handle/123456789/50654 |
| Располагается в коллекциях: | Известия ГГУ им. Франциска Скорины. Естественные науки |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Емельянов_Повышение.pdf | 362.21 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.