Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Кустов, Е.Ф. | - |
| dc.contributor.author | Лощёнов, В.Б. | - |
| dc.contributor.author | Сурогина, В.А. | - |
| dc.date.accessioned | 2022-12-27T13:22:14Z | - |
| dc.date.available | 2022-12-27T13:22:14Z | - |
| dc.date.issued | 1980 | - |
| dc.identifier.citation | Кустов, Е.Ф. Интенсивность электродипольных переходов между состояниями 4fᵑ - конфигурации. Тетрагональное приближение / Е.Ф. Кустов, В.Б. Лощёнов, В.А. Сурогина // Оптика и спектроскопия / АН СССР. – Ленинград : Наука, 1980. – Т. 49, вып. 4. – С. 719-727. | ru |
| dc.identifier.uri | http://elib.gsu.by/jspui/handle/123456789/50778 | - |
| dc.description.abstract | Выводятся основные формулы для расчета интенсивности переходов между штарковскими уровнями в кристаллических полях с симметрией D₄ в зависимости от параметров примешиваемых конфигураций и параметров нечетной части кристаллического поля. | ru |
| dc.language.iso | Русский | ru |
| dc.publisher | Наука | ru |
| dc.title | Интенсивность электродипольных переходов между состояниями 4fᵑ - конфигурации. Тетрагональное приближение | ru |
| dc.type | Article | ru |
| dc.identifier.udk | 548.0+539.184:546.65-128 | - |
| dc.placeOfPublication | Ленинград | ru |
| dc.edition | 4 | ru |
| dc.volume | 49 | ru |
| Appears in Collections: | Оцифрованный фонд | |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Кустов_Интенсивность.pdf | 13.09 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.