| Название: | Интенсивность электродипольных переходов между состояниями 4fᵑ - конфигурации. Тетрагональное приближение |
| Авторы: | Кустов, Е.Ф. Лощёнов, В.Б. Сурогина, В.А. |
| Дата публикации: | 1980 |
| Издательство: | Наука |
| Библиографическое описание: | Кустов, Е.Ф. Интенсивность электродипольных переходов между состояниями 4fᵑ - конфигурации. Тетрагональное приближение / Е.Ф. Кустов, В.Б. Лощёнов, В.А. Сурогина // Оптика и спектроскопия / АН СССР. – Ленинград : Наука, 1980. – Т. 49, вып. 4. – С. 719-727. |
| Краткий осмотр (реферат): | Выводятся основные формулы для расчета интенсивности переходов между штарковскими уровнями в кристаллических полях с симметрией D₄ в зависимости от параметров примешиваемых конфигураций и параметров нечетной части кристаллического поля. |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://elib.gsu.by/jspui/handle/123456789/50778 |
| Располагается в коллекциях: | Оцифрованный фонд |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Кустов_Интенсивность.pdf | 13.09 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.