Влияние степени легирования алюминием на свойства пленок оксида титана-алюминия

Abstract

Проведены исследования характеристик пленок оксида титана-алюминия, нанесенных методом реактивного магнетронного распыления Ti-Al составных мишеней. Получены зависимости диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь, ширины запрещенной зоны, плотности тока утечки и напряженности поля пробоя от степени легирования пленок алюминием Cᴀl и концентрации кислорода в Ar / O₂ смеси газов в процессе нанесения Гo₂. Установлено, что увеличение Cᴀl приводит к снижению диэлектрических потерь и тока утечки, увеличению ширины запрещенной зоны и напряженности поля пробоя пленок. Однако при этом диэлектрическая проницаемость пленок снижается до значений менее 10. = The characteristics of titanium-aluminum oxide films deposited by reactive magnetron sputtering of Ti-Al compound targets have been studied. The dependences of the permittivity, dielectric loss tangent, band gap, leakage current density, and breakdown field strength on the degree of film doping with aluminum Cᴀl and the oxygen concentration in the Ar / O₂ gas mixture during the deposition of Гo₂ are obtained. It has been established that an increase in Cᴀl leads to a decrease in dielectric losses and leakage current, an increase in the band gap and the strength of the breakdown field of the films. However, in this case, the dielectric constant of the films decreases to values less than 10.