Название: | Влияния дополнительного отжига в вакууме на структуру, электрические и оптические свойства ZnO:Al пленок, синтезированных золь-гель методом |
Другие названия: | Effects of additional vacuum annealing on the structure, electrical and optical properties of ZnO:Al films synthesized by sol-gel |
Авторы: | Сидский, В.В. Семченко, А.В. Гайшун, В.Е. Коваленко, Д.Л. Ханна, А.С. Sydsky, V.V. Semchenko, A.V. Gaishun, V.E. Kovalenko, D.L. Khanna, A.S. |
Ключевые слова: | оксид цинка золь-гель метод вакуумный отжиг кремниевые солнечные элементы пропускание поглощение дифракция zinc oxide sol-gel method vacuum annealing silicon solar cells transmission absorption diffraction |
Дата публикации: | 2018 |
Издательство: | Гомельский государственный университет имени Ф.Скорины |
Библиографическое описание: | Влияния дополнительного отжига в вакууме на структуру, электрические и оптические свойства ZnO:Al пленок, синтезированных золь-гель методом = Effects of additional vacuum annealing on the structure, electrical and optical properties of ZnO:Al films synthesized by sol-gel / В.В. Сидский [и др.] // Проблемы физики, математики и техники. Сер.: Физика. - 2018. - № 4 (37). - С. 44-46. |
Краткий осмотр (реферат): | Определено влияние дополнительного отжига в вакууме на структуру, электрофизические и оптические свойства ZnO:Al пленок, синтезированных золь-гель методом. Дополнительный отжиг в вакууме при температуре 350º С приводит к повышению содержания кристаллической фазы в пленках, наблюдается существенное уменьшение значений ширины запрещенной зоны, что хорошо согласуется с данными предыдущих исследований структурных свойств плёнок ZnO, полученных золь-гель методом. The effect of additional annealing in vacuum on the structure, electrical and optical properties of ZnO:Al films synthesized by sol-gel method is determined. Additional annealing in vacuum at the temperature of 350º С leads to the increasing of the content of the crystalline phase in the films. There significant decreasing of the widths of the forbidden gap is observed, which is in good agreement with the data of previous studies of the structural properties of ZnO:Al films. |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://hdl.handle.net/123456789/6303 |
ISSN: | 2077-8708 |
Располагается в коллекциях: | Проблемы физики, математики, техники. Физика |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Сидский ВВ Семченко АВ Гайшун ВЕ Коваленко ДЛ Ханна АС 2018-4.pdf | 377.67 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.