Название: Формирование пленок оксида тантала на подложках диаметром 200 миллиметров
Другие названия: Formation of tantalum oxide films on substrates with a diameter of 200 mm
Авторы: Вилья, Н.
Голосов, Д.А.
Мельников, С.Н.
Нгуен, Т.Д.
Голосов, А.Д.
Литвин, Э.Е.
Лам, Н.Н.
Villa, N.
Golosov, D.A.
Melnikov, S.N.
Nguyen, T.D.
Golosov, A.D.
Litvin, E.E.
Lam, N.N.
Ключевые слова: оксид тантала
тонкие пленки
реактивное магнетронное распыление
МДП структура
диэлектрические свойства
tantalum oxide
thin films
reactive magnetron sputtering
MOS structure
dielectric properties
Дата публикации: 2020
Издательство: Гомельский государственный университет имени Ф.Скорины
Библиографическое описание: Формирование пленок оксида тантала на подложках диаметром 200 миллиметров = Formation of tantalum oxide films on substrates with a diameter of 200 mm / Н. Вилья [и др.] // Проблемы физики, математики и техники. Сер.: Физика. - 2020. - № 1 (42). - С. 12-17.
Краткий осмотр (реферат): В результате исследований процессов реактивного магнетронного распыления Ta мишени в среде Ar/O2 рабочих газов установлено, что формирование диэлектрических пленок наблюдается при концентрациях O2 более 50% и определяется энтальпией образования оксида из исходного металла. Использование высоковакуумного распыления позволяет стабилизировать процесс без использования систем обратной связи. Показано, что при нанесении пленок оксида тантала на вращающуюся подложку ⌀ 200 мм возможно получение слоев с неравномерностью толщины менее ±2.4% и неравномерностью распределения емкости и тангенса угла диэлектрических потерь менее ±18%. As a result of studies of the processes of reactive magnetron sputtering of a Ta target in an Ar/O2 working gas mixture, it is found that the formation of dielectric films is observed at the concentration of O2 higher than 50% and it is determined by the enthalpy of oxide formation from the source metal. The use of high-vacuum sputtering allows stabilizing the process without the use of feedback systems. It is shown that when depositing tantalum oxide films on a ⌀ 200 mm rotating substrate, it is possible to obtain layers with a thickness non-uniformity of less than ±2.4%, a capacitance and dielectric loss tangent nonuniformity of less than ±18%.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://elib.gsu.by/handle/123456789/8915
ISSN: 2077-8708
Располагается в коллекциях:Проблемы физики, математики, техники. Физика

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Вилья_Формирование_пленок_Проблемы_2020_1.pdf1.13 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.