| Title: | Аналитическое решение обратной задачи спектрофотометрии для поглощающего слоя на поглощающей подложке с диэлектрическим слоем |
| Other Titles: | Analitical solution of the inverse problem of a spectrophotometer absorbing layer on an absorbing substrate with dielectric layer |
| Authors: | Стаськов, Н.И. Парашков, С.О. Шилов, А.В. Крекотень, Н.А. |
| Keywords: | двухслойная структура оптические спектры огибающие экстремумов переходные слои |
| Issue Date: | 2015 |
| Citation: | Аналитическое решение обратной задачи спектрофотометрии для поглощающего слоя на поглощающей подложке с диэлектрическим слоем / Н.И. Стаськов [и др.] // Проблемы физики, математики и техники. Сер.: Физика. - 2015. - № 3 (24). - С. 33-37. |
| Abstract: | На примере двухслойной структуры полупроводник – диэлектрик – полупроводник рассмотрена возможность анали- тического определения оптических параметров 1 n (λ), 1 k (λ) и толщины 1 d верхнего слоя по огибающим спектров от- ражения при нормальном падении света. Рассчитать такие функции даже для случая отсутствия переходных зон между слоями очень сложно. Несовпадение огибающих расчетных и измеренных коэффициентов отражения в оп- ределенных областях спектров указывает на наличие неоднородных поверхностных и переходных зон в реальных структурах рSi – SiO2 – cSi. |
| URI: | http://hdl.handle.net/123456789/2722 |
| ISSN: | 2077-8708 |
| Appears in Collections: | Проблемы физики, математики, техники. Физика |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Стаськов НИ Парашков СО Шилов АВ Крекотень НА 2015-3.pdf | 782.48 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.