| Название: | Аналитическое решение обратной задачи спектрофотометрии для поглощающего слоя на поглощающей подложке с диэлектрическим слоем |
| Другие названия: | Analitical solution of the inverse problem of a spectrophotometer absorbing layer on an absorbing substrate with dielectric layer |
| Авторы: | Стаськов, Н.И. Парашков, С.О. Шилов, А.В. Крекотень, Н.А. |
| Ключевые слова: | двухслойная структура оптические спектры огибающие экстремумов переходные слои |
| Дата публикации: | 2015 |
| Библиографическое описание: | Аналитическое решение обратной задачи спектрофотометрии для поглощающего слоя на поглощающей подложке с диэлектрическим слоем / Н.И. Стаськов [и др.] // Проблемы физики, математики и техники. Сер.: Физика. - 2015. - № 3 (24). - С. 33-37. |
| Краткий осмотр (реферат): | На примере двухслойной структуры полупроводник – диэлектрик – полупроводник рассмотрена возможность анали- тического определения оптических параметров 1 n (λ), 1 k (λ) и толщины 1 d верхнего слоя по огибающим спектров от- ражения при нормальном падении света. Рассчитать такие функции даже для случая отсутствия переходных зон между слоями очень сложно. Несовпадение огибающих расчетных и измеренных коэффициентов отражения в оп- ределенных областях спектров указывает на наличие неоднородных поверхностных и переходных зон в реальных структурах рSi – SiO2 – cSi. |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://hdl.handle.net/123456789/2722 |
| ISSN: | 2077-8708 |
| Располагается в коллекциях: | Проблемы физики, математики, техники. Физика |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Стаськов НИ Парашков СО Шилов АВ Крекотень НА 2015-3.pdf | 782.48 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.